VN2110K1-G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
channel typeN Channel
configuration:Single
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
channel typeN Channel
configuration:Single
drain source on state resistance3Ом
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:5 ns
forward transconductance - min:150 mS
id - continuous drain current:200 mA
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
manufacturer:Microchip
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока200мА
number of channels:1 Channel
package/case:SOT-23-3
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:360 mW
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs2.4В
power dissipation360мВт
product:MOSFET Small Signal
product category:MOSFET
product type:MOSFET
рассеиваемая мощность360мВт
rds on - drain-source resistance:4 Ohms
rise time:5 ns
сопротивление во включенном состоянии rds(on)3Ом
стиль корпуса транзистораSOT-23
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:6 ns
typical turn-on delay time:3 ns
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:800 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль