VN1206L-G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 120V 6Ohm
Вес и габариты
base product numberVN1206 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c230mA (Tj)
длина5.21 mm
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 120V 6Ohm
Вес и габариты
base product numberVN1206 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c230mA (Tj)
длина5.21 mm
drain to source voltage (vdss)120V
drive voltage (max rds on, min rds on)2.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
Высота 5.33 мм
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки230 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds125pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)1W (Tc)
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs6Ohm @ 500mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток6 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-92-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения18 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаMicrochip Technology
ТипFET
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
vgs (max)В±30V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs(th) (max) @ id2V @ 1mA
вид монтажаThrough Hole
время нарастания8 ns
время спада12 ns
Ширина4.19 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль