VN10KN3-G-P002

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Вес и габариты
длина5.21 mm
Высота 5.33 мм
id - непрерывный ток утечки310 mA
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Вес и габариты
длина5.21 mm
Высота 5.33 мм
id - непрерывный ток утечки310 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки2000
rds вкл - сопротивление сток-исток7.5 Ohms
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-92-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
вид монтажаThrough Hole
Ширина4.19 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль