VN0109N3-G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 90 В 350 мА (Tj) 1 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-92-3
Вес и габариты
base product numberVN0109 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c350mA (Tj)
drain to source voltage (vdss)90V
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 90 В 350 мА (Tj) 1 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-92-3
Вес и габариты
base product numberVN0109 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c350mA (Tj)
drain to source voltage (vdss)90V
drive voltage (max rds on, min rds on)5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки350 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds65pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)1W (Tc)
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs3Ohm @ 1A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток5 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-92-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-92-3
vds - напряжение пробоя сток-исток90 V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.4V @ 1mA
вид монтажаThrough Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль