VN0104N3-G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 350 мА, 2.5 Ом, TO-92, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: VN0104N3-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 40V 3Ohm
| Вес и габариты | |
| base product number | VN0104 -> |
| channel type | N Channel |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 350mA (Tj) |
| drain source on state resistance | 2.5Ом |
| drain to source voltage (vdss) | 40V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 65pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 300 mmho |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение истока-стока vds | 40В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 350мА |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| pcn packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pd - рассеивание мощности | 1 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N Канал |
| пороговое напряжение vgs | 2.4В |
| power dissipation | 1Вт |
| power dissipation (max) | 1W (Tc) |
| рассеиваемая мощность | 1Вт |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 2.5Ом |
| стиль корпуса транзистора | TO-92 |
| supplier device package | TO-92-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 3 ns |
| типичное время задержки выключения | 6 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Microchip Technology |
| Тип | FET |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-92-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| вес, г | 0.2 |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 5 ns |
| время спада | 5 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26