VB1330

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance30mО© @ 3.2A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
18
+
Бонус: 0.36 !
Бонусная программа
Итого: 18
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance30mО© @ 3.2A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage2V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c6.5A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)1.7W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль