VB1102M

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance240mО© @ 1.5A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage100V
60
+
Бонус: 1.2 !
Бонусная программа
Итого: 60
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance240mО© @ 1.5A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage100V
vgs - gate-source voltage2.8V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c2A
power dissipation-max (ta=25в°c)2.5W
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль