Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet N и P-канал 30 В, 20 В, 1,5 А, 1 А, 1 Вт, поверхностный монтаж TUMT6

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	*M2 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1.5A, 1A
drain to source voltage (vdss)	30V, 20V

Все характеристики

230 ₽

- +

Бонус: 4.6 !

Бонусная программа

Итого: 230 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet N и P-канал 30 В, 20 В, 1,5 А, 1 А, 1 Вт, поверхностный монтаж TUMT6

Вес и габариты
base product number	*M2 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1.5A, 1A
drain to source voltage (vdss)	30V, 20V
eccn	EAR99
fet feature	Standard
fet type	N and P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	2.2nC @ 4.5V
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	80pF @ 10V
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	150В°C (TJ)
other related documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	6-SMD, Flat Leads
power - max	1W
rds on (max) @ id, vgs	240mOhm @ 1.5A, 4.5V
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
simulation models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device package	TUMT6
vgs(th) (max) @ id	1.5V @ 1mA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

US6M2TR