US6M2TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet N и P-канал 30 В, 20 В, 1,5 А, 1 А, 1 Вт, поверхностный монтаж TUMT6
Вес и габариты
base product number*M2 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.5A, 1A
drain to source voltage (vdss)30V, 20V
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet N и P-канал 30 В, 20 В, 1,5 А, 1 А, 1 Вт, поверхностный монтаж TUMT6
Вес и габариты
base product number*M2 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.5A, 1A
drain to source voltage (vdss)30V, 20V
eccnEAR99
fet featureStandard
fet typeN and P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs2.2nC @ 4.5V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds80pF @ 10V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-SMD, Flat Leads
power - max1W
rds on (max) @ id, vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageTUMT6
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль