Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N+P 30 20V 1A

Подробное описание

210 ₽

– +

Бонус: 4.2 !

Бонусная программа

Итого: 210 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	2 mm
другие названия товара №	US6M1
Высота	0.77 мм
id - непрерывный ток утечки	1.4 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Dual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	1 S, 0.7 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
qg - заряд затвора	1.4 nC, 2.1 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds вкл - сопротивление сток-исток	170 mOhms
серия	US6M1
технология	Si
типичное время задержки при включении	6 nS, 9 nS
типичное время задержки выключения	13 nS, 25 nS
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
Тип	MOSFET
упаковка / блок	SOT-363T-6
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
вес, г	0.0075
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	6 nS, 8 nS
время спада	8 nS, 10 nS
Ширина	1.7 мм

Отзывов нет

Кнопки

US6M1TR