US6J2TR — купить | ООО «Телеметрия»

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Поверхностный монтаж TUMT6

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	*J2 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1A
drain to source voltage (vdss)	20V

230 ₽

- +

Бонус: 4.6 !

Бонусная программа

Итого: 230 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Поверхностный монтаж TUMT6

Вес и габариты
base product number	*J2 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1A
drain to source voltage (vdss)	20V
eccn	EAR99
fet feature	Logic Level Gate
fet type	2 P-Channel (Dual)
gate charge (qg) (max) @ vgs	2.1nC @ 4.5V
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	150pF @ 10V
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	6-SMD, Flat Leads
power - max	1W
rds on (max) @ id, vgs	390mOhm @ 1A, 4.5V
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	TUMT6
vgs(th) (max) @ id	2V @ 1mA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки