UM6K1NTN — купить | ООО «Телеметрия»

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30 В 100 мА 150 мВт для поверхностного монтажа UMT6

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	*K1 ->
continuous drain current (id) @ 25в°c	100mA
current - continuous drain (id) @ 25в°c	100mA

Все характеристики

19 ₽

- +

Бонус: 0.38 !

Бонусная программа

Итого: 19 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30 В 100 мА 150 мВт для поверхностного монтажа UMT6

Вес и габариты
base product number	*K1 ->
continuous drain current (id) @ 25в°c	100mA
current - continuous drain (id) @ 25в°c	100mA
drain to source voltage (vdss)	30V
eccn	EAR99
fet feature	Logic Level Gate
fet type	2 N-Channel (Dual)
htsus	8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	13pF @ 5V
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
power dissipation-max (ta=25в°c)	150mW
power - max	150mW
rds on - drain-source resistance	8О© @ 10mA,4V
rds on (max) @ id, vgs	8Ohm @ 10mA, 4V
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	UMT6
transistor polarity	2 N Channel(Double)
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	1.5V @ 100uA
vgs(th) (max) @ id	1.5V @ 100ВµA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки