UJ4C075060K4S

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 750V 28A (Tc) 155W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
2 760
+
Бонус: 55.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 750V 28A (Tc) 155W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4
Основные
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-4
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаUnitedSiC
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияUJ4C
supplier device packageTO-247-4
pd - рассеивание мощности155 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSiC
конфигурацияSingle
technologySiCFET (Cascode SiCJFET)
id - непрерывный ток утечки28 A
qg - заряд затвора37.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток74 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток750 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток6 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c28A (Tc)
drain to source voltage (vdss)750V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs37.8nC @ 15V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1422pF @ 100V
power dissipation (max)155W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs74mOhm @ 20A, 12V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id6V @ 10mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль