TT8K11TCR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Nch+Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №TT8K11
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Nch+Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №TT8K11
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора2.5 nC, 2.5 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток51 mOhms, 51 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении5 ns, 5 ns
типичное время задержки выключения20 ns, 20 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTSST-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns, 13 ns
время спада3 ns, 3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль