TT8J3TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Pch+Pc Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №TT8J3
id - непрерывный ток утечки2.5 A
канальный режимEnhancement
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Pch+Pc Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №TT8J3
id - непрерывный ток утечки2.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.8 S, 1.8 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора4.8 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms, 65 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns, 7 ns
типичное время задержки выключения35 ns, 35 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTSST-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания20 ns, 20 ns
время спада14 ns, 14 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль