TT8J11TCR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, 2 P-канала (двойной), 12 В, 3,5 А, 650 мВт, для поверхностного монтажа 8-TSST
| Вес и габариты | |
| base product number | TT8J11 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 3.5A |
| drain to source voltage (vdss) | 12V |
| другие названия товара № | TT8J11 |
| eccn | EAR99 |
| fet feature | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| fet type | 2 P-Channel (Dual) |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 22nC @ 4.5V |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 2600pF @ 6V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 2 Channel |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| other related documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 8-SMD, Flat Lead |
| pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power - max | 650mW |
| qg - заряд затвора | 22 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 43mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| simulation models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| supplier device package | 8-TSST |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 15 ns |
| типичное время задержки выключения | 170 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 2 P-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| упаковка / блок | TSST-8 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 30 ns |
| время спада | 60 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
