TSM60NB900CH C5G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
TSM60NB900CH C5G Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Arrow.comN-канал, 600 В, 4 А (Tc), 36,8 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-251 (IPAK)
Вес и габариты
base product numberTSM60 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
950
+
Бонус: 19 !
Бонусная программа
Итого: 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TSM60NB900CH C5G Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Arrow.comN-канал, 600 В, 4 А (Tc), 36,8 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-251 (IPAK)
Вес и габариты
base product numberTSM60 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs9.6nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds315pF @ 100V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
power dissipation (max)36.8W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs900mOhm @ 1.2A, 10V
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-251 (IPAK)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль