Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet

Подробное описание

710 ₽

– +

Бонус: 14.2 !

Бонусная программа

Итого: 710 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	3 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	28.4 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	7.12 nC
размер фабричной упаковки	1875
rds вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
технология	Si
типичное время задержки при включении	13.8 ns
типичное время задержки выключения	28 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Taiwan Semiconductor
упаковка	Reel
упаковка / блок	TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	0.34
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	11.4 ns
время спада	8.4 ns

Отзывов нет

Кнопки

TSM60NB1R4CP ROG