TSM60N1R4CP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm
Вес и габариты
другие названия товара №TSM60N1R4CP R0G
id - непрерывный ток утечки3.3 A
канальный режимEnhancement
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm
Вес и габариты
другие названия товара №TSM60N1R4CP R0G
id - непрерывный ток утечки3.3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности38 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора7.7 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток880 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении14 ns
типичное время задержки выключения24 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г0.34
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания22 ns
время спада20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль