TSM4NB65CP ROG, Транзистор N-МОП, полевой, 650В 4A 50Вт 3,37Ом TO252

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TSM4NB65CP ROG
МОП-транзистор 650V N channel Mosfet
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 650V N channel Mosfet
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности50 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора13.46 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток2.7 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении11 ns
типичное время задержки выключения30 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г0.38
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.6 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания20 ns
время спада19 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль