TSM300NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 6А, 8Вт, PDFN56

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TSM300NB06DCR RLG
МОП-транзистор Dual N-Chan Pwr МОП-транзистор 60V 25A 30mu
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки25 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Dual N-Chan Pwr МОП-транзистор 60V 25A 30mu
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки25 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.24 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности40 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток30 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении6 ns
типичное время задержки выключения12 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковкаReel
упаковка / блокPDFN-56-8
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.1
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3 ns
время спада2 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль