TSM250NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 7А, 9,6Вт, PDFN56

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TSM250NB06DCR RLG
МОП-транзистор Dual N-Chan Pwr МОП-транзистор 60V 30A 25mu
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки30 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Dual N-Chan Pwr МОП-транзистор 60V 30A 25mu
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки30 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.36 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W, 48 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора22 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток25 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения14 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковкаReel
упаковка / блокPDFN-56-8
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.1
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания9 ns
время спада3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль