TSM200N03DPQ33 RGG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 20A Dual N-Chann el Power МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
510
+
Бонус: 10.2 !
Бонусная программа
Итого: 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 20A Dual N-Chann el Power МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.13 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности20 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора4.1 nC
размер фабричной упаковки5000
rds вкл - сопротивление сток-исток17 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении2.8 ns
типичное время задержки выключения15.8 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистораDual N-Channel PowerMOSFET
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковка / блокPDFN-33-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.3042
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания7.2 ns
время спада4.6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль