Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V 1A N Channel Mosfet

Подробное описание

520 ₽

– +

Бонус: 10.4 !

Бонусная программа

Итого: 520 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	1 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	0.8 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	39 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	6.1 nC
размер фабричной упаковки	2500
rds вкл - сопротивление сток-исток	8 Ohms
технология	Si
типичное время задержки при включении	7.7 ns
типичное время задержки выключения	15.3 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Taiwan Semiconductor
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	0.34
vgs - напряжение затвор-исток	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	6.8 ns
время спада	14.9 ns

Отзывов нет

Кнопки

TSM1NB60CP ROG