TSM110NB04LDCR RLG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор 40V, 48A 11mohms
Вес и габариты
другие названия товара №TSM110NB04LDCR
id - непрерывный ток утечки48 A
канальный режимEnhancement
780
+
Бонус: 15.6 !
Бонусная программа
Итого: 780
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор 40V, 48A 11mohms
Вес и габариты
другие названия товара №TSM110NB04LDCR
id - непрерывный ток утечки48 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.34 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности48 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора23 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток11 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении1 ns
типичное время задержки выключения13 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистораDual N-Channel Power MOSFET
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковка / блокPDFN-56
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания20 ns
время спада13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль