TSM110NB04LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 12А, 23Вт, PDFN56

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TSM110NB04LCR RLG
МОП-транзистор 40V 54A Single N-Chan Pwr МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки54 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 40V 54A Single N-Chan Pwr МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки54 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.34 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности68 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора23 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток11 mOhms
серияTSM
технологияSi
типичное время задержки при включении1 ns
типичное время задержки выключения13 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистораSingle N-Channel Power MOSFET
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковкаReel
упаковка / блокPDFN56-8
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
вес, г0.1
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания20 ns
время спада13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль