Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V 10A Single N-Ch annel Power МОП-транзистор

Подробное описание

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	10 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор

Все характеристики

1 350 ₽

– +

Бонус: 27 !

Бонусная программа

Итого: 1 350 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	10 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	56.8 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	39.6 nC
размер фабричной упаковки	2000
rds вкл - сопротивление сток-исток	800 mOhms
серия	TSM10ND65CI
технология	Si
типичное время задержки при включении	11 ns
типичное время задержки выключения	36 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Taiwan Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	ITO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	20 ns
время спада	23 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

TSM10ND65CI C0G