TSM080NB03CR RLG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 59A Single N-Chn Power МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки59 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V 59A Single N-Chn Power МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки59 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.36 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности55.6 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора20 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток8 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении5 ns
типичное время задержки выключения14 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковка / блокPDFN-56-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания22 ns
время спада5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль