TSM055N03EPQ56 RLG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N 80Amp 5,5mohm channel Mosfet
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки80 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N 80Amp 5,5mohm channel Mosfet
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки80 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности74 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора11.1 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток4.5 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7.5 ns
типичное время задержки выключения35.2 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокPDFN56-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания14.5 ns
время спада9.6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль