TQM150NB04DCR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V МОП-транзистор 15 MOhms
Вес и габариты
другие названия товара №TQM150NB04DCR RLG
id - непрерывный ток утечки39 A
канальный режимEnhancement
960
+
Бонус: 19.2 !
Бонусная программа
Итого: 960
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V МОП-транзистор 15 MOhms
Вес и габариты
другие названия товара №TQM150NB04DCR RLG
id - непрерывный ток утечки39 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.38 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности48 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора18 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения13 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковка / блокPDFN56U-8
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns
время спада4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль