TQM130NB06CR RLG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V, 50A, Single N-Channel Power МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №TQM130NB06CR
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
870
+
Бонус: 17.4 !
Бонусная программа
Итого: 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V, 50A, Single N-Channel Power МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №TQM130NB06CR
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
крутизна характеристики прямой передачи - мин.44 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3.1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора40 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток13 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении5 ns
типичное время задержки выключения24 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаTaiwan Semiconductor
упаковка / блокPDFN56U-5
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.8 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания21 ns
время спада18 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль