TPWR8503NL,L1Q

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
Основные
вес, г0.104
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
830
+
Бонус: 16.6 !
Бонусная программа
Итого: 830
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
Основные
вес, г0.104
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки5000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокDSOP-8
серияTPWR8503NL
длина5 mm
время нарастания9.6 ns
время спада15 ns
коммерческое обозначениеU-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности142 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки150 A
qg - заряд затвора74 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения89 ns
типичное время задержки при включении23 ns
Высота 0.73 мм
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль