TPS1120DR, Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:TPS1120DR
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R
Основные
pin count
8
packaging
Tape and Reel
product category
Small Signal
automotive
No
eu rohs
Compliant
lead shape
Gull-wing
maximum operating temperature (°c)
125
mounting
Surface Mount
part status
Active
pcb changed
8
ppap
No
standard package name
SOP
supplier package
SOIC
eccn (us)
EAR99
maximum power dissipation (mw)
840
minimum operating temperature (°c)
-40
configuration
Dual Dual Drain
Вес и габариты
number of elements per chip
2
channel type
P
material
Si
channel mode
Enhancement
maximum continuous drain current (a)
1.17
maximum drain source resistance (mohm)
400 4.5V
maximum drain source voltage (v)
15
maximum gate source voltage (v)
2
typical fall time (ns)
2
typical gate charge @ 10v (nc)
5.45
typical gate charge @ vgs (nc)
5.45 10V
typical rise time (ns)
10
typical turn-off delay time (ns)
13
typical turn-on delay time (ns)
4.5
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26