TPS1101D
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) поверхностный монтаж 8-SOIC
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | 8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width) |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 125 C |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 75 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Texas Instruments |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | SOIC-8 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | TPS1101 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | 8-SOIC |
| длина | 4.9 mm |
| время нарастания | 5.5 ns |
| время спада | 5.5 ns |
| pd - рассеивание мощности | 791 mW |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | TPS1101 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| manufacturer product page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | P-Channel |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| типичное время задержки выключения | 19 ns |
| типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 2.3A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 15V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.7V, 10V |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 11.25nC @ 10V |
| power dissipation (max) | 791mW (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
| vgs (max) | +2V, -15V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 250ВµA |
| Высота | 1.75 мм |
| Тип | PMOS Switches |
| Ширина | 3.9 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![SPP03N60S5XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 3.2А 1.4Ом [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/01/36/193601/images/228663/228663.300x0.jpg "SPP03N60S5XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 3.2А 1.4Ом [TO-220AB]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
