TPS1100D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TPS1100D
Основные
вес, г0.1
factory pack quantity: factory pack quantity:75
manufacturer:Texas Instruments
maximum operating temperature:+150 C
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г0.1
factory pack quantity: factory pack quantity:75
manufacturer:Texas Instruments
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-40 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
product:MOSFET Small Signal
series:TPS1100
subcategory:MOSFETs
type:MOSFET
packaging:Tube
Вес и габариты
package/case:SOIC-8
pd - power dissipation:791 mW
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:1.6 A
qg - gate charge:5.45 nC
rds on - drain-source resistance:180 mOhms
transistor polarity:P-Channel
transistor type:1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:15 V
vgs - gate-source voltage:-15 V, +2 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1.5 V
typical turn-off delay time:13 ns
typical turn-on delay time:4.5 ns
forward transconductance - min:2.5 S
fall time:10 ns
rise time:10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль