TPS1100D, MOSFET MOSFET 10ns RT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TPS1100D
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
| Основные | |
| вес, г | 0.07 |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 75 |
| manufacturer: | Texas Instruments |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -40 C |
| mounting style: | SMD/SMT |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| product: | MOSFET Small Signal |
| series: | TPS1100 |
| subcategory: | MOSFETs |
| type: | MOSFET |
| packaging: | Tube |
| Вес и габариты | |
| package/case: | SOIC-8 |
| pd - power dissipation: | 791 mW |
| number of channels: | 1 Channel |
| technology: | Si |
| configuration: | Single |
| channel mode: | Enhancement |
| id - continuous drain current: | 1.6 A |
| qg - gate charge: | 5.45 nC |
| rds on - drain-source resistance: | 180 mOhms |
| transistor polarity: | P-Channel |
| transistor type: | 1 P-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 15 V |
| vgs - gate-source voltage: | -15 V, +2 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 1.5 V |
| typical turn-off delay time: | 13 ns |
| typical turn-on delay time: | 4.5 ns |
| forward transconductance - min: | 2.5 S |
| fall time: | 10 ns |
| rise time: | 10 ns |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
