Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC МОП-транзистор

Подробное описание

Основные
вес, г	0.02
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

310 ₽

– +

Бонус: 6.2 !

Бонусная программа

Итого: 310 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.02
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	5000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TSON-8
серия	TPN4R303NL
длина	3.1 mm
время нарастания	4.5 ns
время спада	3.5 ns
коммерческое обозначение	U-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности	34 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	63 A
qg - заряд затвора	14.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	6.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	19 ns
типичное время задержки при включении	10.5 ns
Высота	0.85 мм
Ширина	3.1 мм

Отзывов нет

Кнопки