TPH4R50ANH,L1Q

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC МОП-транзистор
Основные
вес, г0.851
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
840
+
Бонус: 16.8 !
Бонусная программа
Итого: 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC МОП-транзистор
Основные
вес, г0.851
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки5000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSOP-8
серияTPH4R50ANH
длина5 mm
время нарастания9.6 ns
время спада13 ns
коммерческое обозначениеU-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности78 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки93 A
qg - заряд затвора58 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения52 ns
типичное время задержки при включении25 ns
Высота 0.95 мм
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль