Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V

Подробное описание

Основные
вес, г	0.851
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

270 ₽

– +

Бонус: 5.4 !

Бонусная программа

Итого: 270 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.851
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOP-8
серия	TP86R203NL
длина	4.9 mm
время нарастания	4 ns
время спада	3.5 ns
pd - рассеивание мощности	1.9 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single Quad Drain
id - непрерывный ток утечки	19 A
qg - заряд затвора	17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	7 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	20 ns
типичное время задержки при включении	11 ns
Высота	1.68 мм
Ширина	3.9 мм

Отзывов нет

Кнопки