Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	10Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

190 ₽

- +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	10Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	60В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	120мА
полярность транзистора	P Канал
пороговое напряжение vgs	2.4В
power dissipation	360мВт
рассеиваемая мощность	360мВт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	10Ом
стиль корпуса транзистора	TO-236AB
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	0.23

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

TP0610T-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 120 мА, 10 Ом, TO-236AB, Surface Mount