TP0610T-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 120 мА, 10 Ом, TO-236AB, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TP0610T-G
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance10Ом
количество выводов3вывод(-ов)
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance10Ом
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока120мА
полярность транзистораP Канал
пороговое напряжение vgs2.4В
power dissipation360мВт
рассеиваемая мощность360мВт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)10Ом
стиль корпуса транзистораTO-236AB
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль