Name: TN0604N3-G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 700 мА, 0.6 Ом, TO-92, Through Hole
SKU: TN0604N3-G

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-канал 40 В 700 мА (Tj) 740 мВт (Ta) сквозное отверстие TO-92-3

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	TN0604 ->
channel type	N Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	700mA (Tj)

290 ₽

– +

Бонус: 5.8 !

Бонусная программа

Итого: 290 ₽

Купить

Вес и габариты
base product number	TN0604 ->
channel type	N Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	700mA (Tj)
drain source on state resistance	0.6Ом
drain to source voltage (vdss)	40V
drive voltage (max rds on, min rds on)	5V, 10V
eccn	EAR99
fet type	N-Channel
htsus	8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	190pF @ 20V
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
монтаж транзистора	Through Hole
mounting type	Through Hole
напряжение истока-стока vds	40В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	700мА
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
pcn packaging	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	1.6В
power dissipation	740мВт
power dissipation (max)	740mW (Ta)
рассеиваемая мощность	740мВт
rds on (max) @ id, vgs	750mOhm @ 1.5A, 10V
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.6Ом
стиль корпуса транзистора	TO-92
supplier device package	TO-92-3
technology	MOSFET (Metal Oxide)
вес, г	0.23
vgs (max)	В±20V
vgs(th) (max) @ id	1.6V @ 1mA

Отзывов нет

Кнопки