TN0106N3-G-P013

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки350 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки350 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки2000
rds вкл - сопротивление сток-исток4.5 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении2 ns
типичное время задержки выключения6 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаAmmo Pack
упаковка / блокTO-92-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.4536
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания3 ns
время спада3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль