TK8A25DA,S4X

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор МОП-транзисторы π-MOS VII МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой привод с затвором 10 В, одноканальные устройства с одним N-каналом, сочетающие технологию МОП-МОП с планарным процессом для обеспечения широкого выбора напряжения и R DS ( ON) рейтинги. Эти высоковольтные полевые МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжения сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном тока стока от 2 до 20 А....
Основные
вес, г2
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+150 C
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор МОП-транзисторы π-MOS VII МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой привод с затвором 10 В, одноканальные устройства с одним N-каналом, сочетающие технологию МОП-МОП с планарным процессом для обеспечения широкого выбора напряжения и R DS ( ON) рейтинги. Эти высоковольтные полевые МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжения сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном тока стока от 2 до 20 А. МОП-транзисторы -MOS VII предлагаются в корпусах со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактных корпусах DPAK-3 и PW-Mold-3 для поверхностного монтажа.
Основные
вес, г2
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+150 C
минимальная рабочая температура:-55 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:Toshiba
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:50
серия:TK8A25DA
тип продукта:MOSFET
торговая марка:Toshiba
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-220-3
время нарастания:28 ns
время спада:16 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:MOSVII
pd - рассеивание мощности:30 W
количество каналов:1 Channel
технология:Si
конфигурация:Single
id - непрерывный ток утечки:7.5 A
qg - заряд затвора:16 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:500 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:250 V
vgs - напряжение затвор-исток:-20 V, +20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1.5 V
канальный режим:Enhancement
полярность транзистора:N-Channel
тип транзистора:1 N-Channel
типичное время задержки выключения:66 ns
типичное время задержки при включении:32 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль