Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

Подробное описание

Основные
вес, г	7
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

810 ₽

– +

Бонус: 16.2 !

Бонусная программа

Итого: 810 ₽

Купить

Основные
вес, г	7
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	25
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3PN-3
серия	TK7J90E
длина	15.5 mm
время нарастания	20 ns
время спада	15 ns
коммерческое обозначение	MOSVIII
pd - рассеивание мощности	200 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	7 A
qg - заряд затвора	32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	85 ns
типичное время задержки при включении	55 ns
Высота	20 мм
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки