TK6A60W,S4VX

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
640
+
Бонус: 12.8 !
Бонусная программа
Итого: 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокTO-220FP-3
серияTK6A60W
длина10 mm
время нарастания18 ns
время спада7 ns
pd - рассеивание мощности30 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки6.2 A
qg - заряд затвора12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток680 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.7 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения55 ns
типичное время задержки при включении40 ns
Высота 15 мм
Ширина4.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль