TK60S06K3L, N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:TK60S06K3L
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsAutomotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.
Основные
mounting type
Surface Mount
package type
DPAK(TO-252)
width
7mm
pin count
3
maximum operating temperature
+175 C
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
N
automotive standard
AEC-Q101
transistor configuration
Single
maximum drain source voltage
60 V
maximum gate source voltage
±20 V
maximum continuous drain current
60 A
maximum gate threshold voltage
3V
maximum drain source resistance
12.3 mΩ
channel mode
Enhancement
minimum gate threshold voltage
2V
maximum power dissipation
88 W
typical gate charge @ vgs
60 nC 10 V
forward diode voltage
1.2V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26