TK56A12N1,S4X

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияTK56A12N1
длина10 mm
коммерческое обозначениеU-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности45 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки56 A
qg - заряд затвора69 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток6.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
Высота 15 мм
Ширина4.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль