Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA

Подробное описание

Основные
вес, г	1.7
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

330 ₽

– +

Бонус: 6.6 !

Бонусная программа

Итого: 330 ₽

Купить

Основные
вес, г	1.7
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK4A60D
длина	10 mm
коммерческое обозначение	MOSVII
pd - рассеивание мощности	35 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	4 A
qg - заряд затвора	12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.7 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
Высота	15 мм
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки