TK40E10N1,S1X(S, N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK40E10N1,S1X(S
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:TK40E10N1,S1X(S
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Основные
mounting type
Through Hole
package type
TO-220
width
4.45mm
pin count
3
maximum operating temperature
+150 C
series
TK
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
N
transistor configuration
Single
maximum drain source voltage
100 V
maximum gate source voltage
-20 V, +20 V
maximum continuous drain current
90 A
transistor material
Si
maximum gate threshold voltage
4V
maximum drain source resistance
8.2 mΩ
channel mode
Enhancement
maximum power dissipation
126 W
typical gate charge @ vgs
49 nC 10 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26