Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор TO-220 PD=230W 1MHz PWR МОП-транзистор TRNS

Подробное описание

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C

710 ₽

– +

Бонус: 14.2 !

Бонусная программа

Итого: 710 ₽

Купить

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
время нарастания	14 ns
время спада	22 ns
коммерческое обозначение	U-MOSIX-H
pd - рассеивание мощности	230 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	100 A
qg - заряд затвора	96 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	5.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	88 ns
типичное время задержки при включении	35 ns

Отзывов нет

Кнопки